2003年，光刻掩膜版的90nm工艺的主流光刻技术是193nm准分子激光扫描分布投影光刻机（ArF Scanner），全球的光学光刻机巨头Nikon、ASML和CANON都推出了193nm ArF Scanner。

　　特征尺寸为45nm的光刻技术包括193nm ArF干法光刻技术、193nm ArF浸没式光刻技术二次成像与二次曝光技术、带有其他液体的193nm浸没式光刻技术、极短紫外光刻技术（EUV）以及无掩膜光刻技术。

　　在上述纳米尺寸光刻加工涉及到的工艺技术中，可以了解到除了无掩膜光刻技术和纳米压印光刻技术，都可以进行掩膜版光刻。我们不能否认的是，掩膜版成本较高至今还是纳米工艺达到量产的难点之一。