在集成电路制造中，光刻技术是利用光学、化学、物流的一系列反应原理和方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成目标功能图形的工艺技术。随着半导体技术的不断发展，光刻技术传递图形的尺寸限度不断缩小，光刻掩膜版技术已然成为一种精密的微细加工技术。

　　亚10nm结构微纳加工中采用的光刻技术就是超高精度光刻技术。多种光刻技术中，激光直写属一种高性价比的光刻技术，可利用激光在非真空的条件下实现无掩模快速刻写。

　　换言之，超高精度激光光刻是不需要掩膜版就能实现图形刻写的。但由于激光直写技术受衍射极限以及邻近效应的限制，还很难做到纳米尺度的超高精度加工。