掩膜版早期是以1:1的比例紧贴在硅晶圆上，通常由各个半导体公司自行设计工具来进行掩膜版曝光，GCA、K&S和Kasper等公司也会提供部分相关设备。直到上世纪六十年代初，美国仙童半导体发明了沿用至今的掩膜版曝光刻蚀技术。

　　与此同时，光刻机也从1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机，发展到现在的EUV光刻机。技术的发掘与设备性能的不断提高，推动集成电路往前迅速发展。