光刻工艺其实就是一系列图形转移的过程，类似于照片印刷。首先，通过特定方式将版图转移到掩膜版表面。光刻过程中，光线透过掩膜版在硅片表面的光刻胶中形成掩膜图形空间像，光刻胶感光后，经过定影显影的步骤后将掩膜图形转移到光刻胶上，而后经过若干步骤再将掩膜图形从光刻胶表面转移到硅片表面，最终实现版图图形向硅片表面的转移，然而，由于作业物理系统和实际环境的各种限制，这种图形转移过程不可能会是完全精确的，通常存在各种畸变。光刻过程中增加激光线宽使空间成像质量变差，较大的线宽也导致了曝光宽容度的损失。